檢索結果:共5筆資料 檢索策略: "快閃記憶體".ckeyword (精準) and ckeyword.raw="可靠性"
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相較於單層單元(Single-Level Cell,SLC)快閃記憶體,由於多層單元(Multi-Level Cell,MLC)快閃記憶體具有較低的成本優勢及較高的儲存密度,因此市面上大部分的固態硬…
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由於快閃記憶體具有有限的P/E cycles,因此超過快閃記憶體單位限制的P/E cycles後會出現嚴重的可靠性問題,資料只能在有限的時間(即保留時間)或有限的讀取周期內安全地儲存。隨著資料的保留…
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3D NAND 快閃記憶體因其非揮發性和出色的資料存取效能而成為現代電腦系統中最重要的儲存技術之一。然而,因為其固有的特性,導致它面臨老化和可靠性問題。先前有研究嘗試使用額外編碼的技術來恢復資料,相…
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如今,3D TLC快閃記憶體以其高容量和低成本成為了主流存儲介質。 但是,3D TLC快閃記憶體存在一些可靠性問題,例如保留錯誤和讀取乾擾錯誤, 這些問題可能會隨著時間的推移而累積並超過ECC(糾錯…
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由於快閃記憶體技術已縮小到 1x nm,並且可以在一個單元中存儲更多位,因此快閃記憶體的存儲密度得到了顯著提高。然而,這些技術趨勢也嚴重損害了快閃記憶體的編程速度和耐久性。內部數據保留時間是快閃記憶…